3.2. Datenspeicher SRAM

Die 1120 Zellen des Datenspeichers enthalten die 32 Register, den I/O-Speicher und den eigentlichen internen SRAM-Datenspeicher. Die ersten 96 Zellen adressieren die Register und den I/O-Speicher, die anderen 1024 Zellen den Datenspeicher.

Es gibt fünf verschiedene Möglichkeiten die Speicherzellen zu adressieren: Direkt, indirekt mit Versatz, indirekt, indirekt mit vorherigem Dekrement und indirekt mit anschließendem Inkrement. Die Register R26 bis R31 bilden die Zeiger für die indirekten Adressierungsarten.

Mit der direkten Adressierung kann der gesamte Speicher angesprochen werden.

Mit der Methode der indirekten Adressierung mit Versatz können, ausgehend von der Basisadresse, die durch das Y- oder Z-Register vorgegeben ist, 63 Speicherzellen adressiert werden.

Wenn die Methode der indirekten Adressierung mit vorherigem Dekrement oder anschließendem Inkrement genutzt werden, bilden das X-, Y- oder Z-Register den Adresszeiger, der inkrementiert bzw. dekrementiert wird.

Die 32 Register, die 64 I/O-Speicher und die 1024 Byte des internen Datenspeichers des ATmega8 können mit allen Adressierungsarten angesprochen werden.

Datenspeicher des ATmega8