Titelbild Mikrocontroller

21.4. Page Buffers

Der Flash wird seitenweise beschrieben. Der EEPROM kann byteweise oder seitenweise beschrieben werden. Bei der Seitenprogrammierung wird erst der Seitenbuffer mit den Daten beschreiben, anschließend wird die ganze Seite aus dem Buffer in den Speicher geschrieben.

Flash Seiten Buffer

Der Flash Seiten Buffer wird wortweise beschrieben und der muss gelöscht werden, bevor neue Daten geladen werden. Wenn der Seiten Buffer beschreiben wird, ist der neue Inhalt eine UND Verknüpfung aus bestehendem Inhalt und dem neuen Wert. Speicherstellen im Buffer, die nicht beschrieben werden, haben den Wert 0xFFFF und dieser Wert wird dann in die entsprechende Speicherstelle im Flash geschrieben.

Der Seiten Buffer wird automatisch gelöscht, wenn:
  • Der Baustein resetet wird
  • Ein wirte flash page Kommando ausgeführt wird
  • Ein erase and write flash page Kommando ausgeführt wird
  • Ein signatur row write Kommando ausgeführt wird
  • Ein write lock bit Kommando ausgeführt wird

EEPROM Seiten Buffer

Der Seiten Buffer des EEPROM wird byteweise gefüllt, auch er muss gelöscht werden, bevor er beschrieben wird. Wenn der Seiten Buffer beschreiben wird, ist der neue Inhalt eine UND Verknüpfung aus bestehendem Inhalt und dem neuen Wert.

Speicherstellen im EEPROM Seiten Buffer, die geladen wurden, werden durch den NVM Controller markiert. Mit einem Page write oder page erase werden nur die markierten Stellen geschrieben oder gelöscht. Unmarkierte Stellen werden weder beschrieben noch gelöscht und behalten ihren vorherigen Wert. Das bedeutet, dass zum Löschen von Speicherstellen in einer Seite zunächst Daten an die entsprechenden Stellen im Buffer geschrieben werden müssen, um diese Stellen zu markieren. Erst dann kann ein erase Kommando ausgeführt werden, um die markierten Stellen in der Seite zu löschen. Der Wert der Daten spielt beim Löschen keine Rolle.

Der EEPROM Seiten Buffer wird automatisch gelöscht, wenn:
  • Das System resetet wird
  • Ein wirte EEPROM page Kommando ausgeführt wird
  • Ein erase and write EEPROM page Kommando ausgeführt wird
  • Ein write lock bit oder write fuse Kommando ausgeführt wird

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